Ολοκληρώθηκε η φάση ανάπτυξης της κατασκευαστικής διαδικασίας επόμενης γενιάς, η οποία μειώνει τα κυκλώματα στο chip στα 32 νανόμετρα.

Το πλάνο αυτό υπαγορεύει την εισαγωγή μίας εντελώς νέας μικροαρχιτεκτονικής επεξεργαστών, η οποία θα εναλλάσσεται με μία κορυφαίας τεχνολογίας κατασκευαστική διαδικασία κάθε 12 μήνες – προσπάθεια που αποτελεί ορόσημο στη βιομηχανία. Η παραγωγή chips 32nm τον επόμενο χρόνο θα σηματοδοτήσει την τέταρτη συνεχόμενη χρονιά που η Intel επιτυγχάνει το στόχο της.
Τόσο η μελέτη όσο και η παρουσίαση της Intel κατά τη διάρκεια του IEDM πάνω στα 32nm, είναι η περιγραφή μίας λογικής τεχνολογίας, η οποία ενσωματώνει τεχνολογία high-k + metal gate δεύτερης γενιάς, λιθογραφία εμβάπτισης 193nm για κρίσιμα στρώματα διαμόρφωσης και βελτιωμένες τεχνικές πίεσης transistor. Τα χαρακτηριστικά αυτά βελτιώνουν τις επιδόσεις αλλά και την ενεργειακή αποτελεσματικότητα των επεξεργαστών της Intel. Η κατασκευαστική διαδικασία της Intel έχει τις υψηλότερες επιδόσεις transistor, αλλά και τη μεγαλύτερη πυκνότητα transistor από κάθε άλλη τεχνολογία 32nm στη βιομηχανία.
«Η κατασκευαστική μας ικανότητα και τα προϊόντα που δημιουργούμε, μας έχουν βοηθήσει να διευρύνουμε το προβάδισμα που έχουμε αποκτήσει στον τομέα των υπολογιστικών επιδόσεων και της διάρκειας ζωής της μπαταρίας για laptops, servers και desktops που βασίζονται σε τεχνολογία Intel», δήλωσε ο Mark Bohr, Intel Senior Fellow and Director of Process Architecture and Integration. «Όπως φάνηκε αυτό το χρόνο, η κατασκευαστική στρατηγική κι εκτέλεση μας έδωσε ταυτόχρονα τη δυνατότητα να δημιουργήσουμε εντελώς νέες σειρές προϊόντων για MIDs, εξοπλισμό CE, ενσωματωμένους υπολογιστές (embedded computers) και netbooks».
Σε άλλες μελέτες που θα παρουσιαστούν στο IEDM, η Intel θα μιλήσει για ένα σύστημα χαμηλής κατανάλωσης ισχύος για την έκδοση chip της διαδικασίας 45nm, για transistors που θα βασίζονται σε πολυμερείς ημιαγωγούς, για μηχανική υποστρώματος με στόχο τη βελτίωση των επιδόσεων των transistors των 45nm, για ενσωμάτωση μίας χημικής μηχανικής στιλβωτικής ουσίας για τον κόμβο των 45nm και παραπέρα, και τέλος για την ενσωμάτωση μίας ποικιλίας διαμορφωτών φωτονικών πυριτίου (silicon photonics modulators).Η Intel θα συμμετάσχει ακόμη και σε μία σύντομη ενότητα πάνω στην Τεχνολογία CMOS των 22nm.
